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PECVD開啟式管式爐係統
關 鍵 詞:PECVD係統,真空鍍膜、納米薄膜材料製備
PECVD開啟式管式爐係統在真空壓力下,加在電感線圈的射頻電場,使反應室氣體發生輝光放電,在輝光發電區域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量,其本身溫度很高,它與氣體分子相碰撞,使氣體分子活化。它們吸附在襯底上,並發生化學反應生成介質膜,副產物從襯底上解吸,隨主氣流由真空泵抽走,稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD)。
型       號:PECVD-1200
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在真空壓力下,加在電感線圈的射頻電場,使反應室氣體發生輝光放電,在輝光發電區域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量,其本身溫度很高,它與氣體分子相碰撞,使氣體分子活化。它們吸附在襯底上,並發生化學反應生成介質膜,副產物從襯底上解吸,隨主氣流由真空泵抽走,稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD)

PECVD開啟式管式爐係統由開啟式管式爐、高真空分子泵係統、射頻電源係統及多通道高精度數字質量流量控製係統組成,是實驗室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,複合薄膜等的理想選擇。

主要功能和特點:

1PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等;

2PECVD工藝中由於等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應;

3、借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;

4、高真空係統由雙級旋片真空泵和分子泵組成,最高真空可達0.001Pa

5、數字質量流量控製係統是由多路質量流量計,流量顯示儀等組成,實現氣體的流量的精密測量和控製;

6、每條氣體管路均配備高壓逆止閥,保證係統的安全性和連續均勻性;

7、采用KF快速法蘭密封,裝卸方便快捷;

8、管路采用世界頂級Swagelok卡套連接,不漏氣;

9、超溫、過壓時,自動切斷加熱電源及流量計進氣,使用安全可靠。

主要用途:

高校、科研院所用於真空鍍膜、納米薄膜材料製備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,複合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

技術參數:

SKGL-1200

開啟式管式爐

控溫方式

采用人工智能調節技術,具有PID調節、自整定功能,並可編製30段升降溫程序。

加熱元件

0Cr27Al7Mo2

工作電源

AC220V 50Hz/60Hz

額定功率

4kw

爐管材質

高純石英管

爐管尺寸

Φ60/Φ80*1200mm

工作溫度

1150

最高溫度

1200

恒溫精度

±1

恒溫區

200mm

升溫速度

10/min

密封方式

不鏽鋼快速法蘭擠壓密封

ZK-F

分子泵真空係統

真空範圍

0.1-0.001Pa

極限真空

4.0*10^-4Pa

產品配置

雙級旋片真空泵+分子泵

測量方式

複合真空計

真空規管

電阻規+電離規

冷卻方式

風冷

工作電源

AC220V 50/60HZ

抽速

110L/S

射頻電源係統

射頻功率輸出範圍

5~500W

射頻頻率

13.56MHz±0.005%

噪聲

55DB

冷卻方式

風冷

功率溫定度

± 0.1%

HQZ-

混氣係統

流量規格

0200sccm (可根據客戶需要配置)

線性

±1.5%F.S

準確度

±1.5%F.S

重複精度

±0.2%F.S.

響應時間

8sec

耐壓

3MPa

氣路通道

4通道(根據客戶需求)

針閥

316不鏽鋼

管道

Φ6mm不鏽鋼管

接口

SwagelokΦ6mm





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